对比图
型号 MMBT2369ALT1 MMBT2369ALT1G MMBT2369LT3G
描述 开关晶体管NPN硅 Switching Transistors NPN SiliconON SEMICONDUCTOR MMBT2369ALT1G 单晶体管 双极, NPN, 15 V, 225 mW, 200 mA, 40 hFENPN 晶体管，ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 225 mW 225 mW 300 mW
击穿电压(集电极-发射极) 15 V 15 V 15 V
集电极最大允许电流 0.2A 0.2A 0.2A
最小电流放大倍数(hFE) 20 @100mA, 1V 20 @100mA, 1V 20
额定功率(Max) 225 mW 225 mW 225 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 300 mW 225 mW
额定电压(DC) 15.0 V 15.0 V -
额定电流 200 mA 200 mA -
针脚数 - 3 -
直流电流增益(hFE) - 40 -
长度 2.9 mm 2.9 mm 3.04 mm
宽度 1.3 mm 1.3 mm 2.64 mm
高度 0.94 mm 0.94 mm 1.11 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
材质 - Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99