对比图
描述 MOSFET N-CH 30V 84A I-PAKN沟道PowerTrench MOSFET的30V ， 116A N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 116A
数据手册 --
制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
封装 TO-251-3 TO-251-3
额定电压(DC) - 30.0 V
额定电流 - 116 A
漏源极电阻 - 5.10 mΩ
极性 - N-Channel
耗散功率 83W (Ta) 110 W
输入电容 - 2.99 nF
栅电荷 - 54.0 nC
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
漏源击穿电压 - 30.0 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) - 116 A
上升时间 - 96.0 ns
输入电容(Ciss) 3845pF @15V(Vds) 2990pF @15V(Vds)
耗散功率(Max) 83W (Ta) 110W (Tc)
额定功率(Max) - -
下降时间 - -
工作温度(Max) - -
工作温度(Min) - -
封装 TO-251-3 TO-251-3
长度 - -
宽度 - -
高度 - -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Unknown
包装方式 - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free
ECCN代码 - EAR99