对比图
描述 Trans MOSFET N-CH 30V 65A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RSTMICROELECTRONICS STD60N3LH5 晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 30 V, 7.6 mohm, 10 V, 1.8 V
数据手册 --
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3
针脚数 - 3
漏源极电阻 - 7.6 mΩ
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 75 W 60 W
阈值电压 - 1.8 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 65.0 A 24.0 A
上升时间 4.20 ns 33 ns
输入电容(Ciss) 1030pF @15V(Vds) 1350pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 75 W 60 W
下降时间 - 4.2 ns
工作温度(Max) - 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 60W (Tc)
额定电压(DC) 30.0 V -
额定电流 65.0 A -
产品系列 IRLR7821 -
封装 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17