BCP56-16和BCP5616E6327HTSA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCP56-16 BCP5616E6327HTSA1 BCP56T3G

描述 NPN 晶体管,STMicroelectronics### 双极晶体管,STMicroelectronicsSTMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管,包括通用、达林顿、功率和高电压设备,采用表面安装和通孔封装。SOT-223 NPN 80V 1AON SEMICONDUCTOR  BCP56T3G  Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 130 MHz, 1.5 W, 1 A, 25 hFE 新

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 4

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

针脚数 3 - 4

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 1.6 W - 1.5 W

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 2V 100 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V

最大电流放大倍数(hFE) 250 - -

额定功率(Max) 1.6 W 2 W 1.5 W

直流电流增益(hFE) 25 - 25

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) 1.6 W 2 W 1.5 W

频率 - - 130 MHz

额定电压(DC) - - 80.0 V

额定电流 - - 1.00 A

集电极最大允许电流 - 1A 1A

长度 6.7 mm - 6.5 mm

宽度 3.7 mm - 3.5 mm

高度 1.8 mm - 1.63 mm

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

材质 Silicon - Silicon

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99

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