ADR435BRZ和REF5050AIDR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ADR435BRZ REF5050AIDR ADR435BRZ-REEL7

描述 ANALOG DEVICES  ADR435BRZ.  芯片, 电压基准, 5V低噪声,极低漂移,高精度电压基准 Low-Noise, Very Low Drift, Precision VOLTAGE REFERENCE5 V,Analog Devices### 电压参考,Analog Devices精密固定和可调电压参考 IC 利用串联、并联或串联/并联拓扑,并提供通孔和表面安装封装。 电压参考的初始准确度为 ±0.02 至 ±2%。

数据手册 ---

制造商 ADI (亚德诺) TI (德州仪器) ADI (亚德诺)

分类 电压基准芯片电压基准芯片电压基准芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

容差 ±0.04 % ±0.1 % ±0.04 %

输入电压(DC) 7.00V ~ 18.0V 5.20V ~ 18.0V 18.0V (max)

输出电压 5 V 5 V 5 V

输出电流 30 mA 10 mA 30 mA

供电电流 800 µA 1.2 mA 800 µA

通道数 1 1 1

输入电压(Max) 20 V 18 V 18 V

输出电压(Max) 5.002 V 5 V 5.002 V

输出电压(Min) 5 V 5 V 5 V

输出电流(Max) 30 mA 10 mA 30 mA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

精度 ±0.04 % 0.05 % ±0.04 %

额定电压 - - 5 V

输入电压 7V ~ 18V 5.2V ~ 18V 7V ~ 18V

针脚数 8 8 -

静态电流 - 800 µA -

输入电压(Min) 7 V - -

长度 5 mm - 5 mm

宽度 4 mm - 4 mm

高度 1.5 mm - 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ (TA) -40℃ ~ 125℃ (TA)

温度系数 ±1 ppm/℃ ±8 ppm/℃ ±3 ppm/℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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