FQB6N90和FQB6N90TM

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQB6N90 FQB6N90TM

描述 900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFETN沟道 900V 5.8A

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管

基础参数对比

封装 D2PAK D2PAK

安装方式 - Surface Mount

极性 N-CH N-Channel

漏源极电压(Vds) 900 V 900 V

连续漏极电流(Ids) 5.8A 5.80 A

漏源极电阻 - 1.90 Ω

耗散功率 - 3.13 W

漏源击穿电压 - 900 V

栅源击穿电压 - ±30.0 V

封装 D2PAK D2PAK

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 - RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

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