THS4225D和THS4225DRG4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 THS4225D THS4225DRG4 THS4225DG4

描述 低失真,高速,轨到轨输出运算放大器 LOW-DISTORTION, HIGH-SPEED, RAIL-TO-RAIL OUTPUT OPERATIONAL AMPLIFIERSIC OPAMP VFB 120MHz RRO 8SOIC低失真,高速,轨到轨输出运算放大器 LOW-DISTORTION, HIGH-SPEED, RAIL-TO-RAIL OUTPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器放大器、缓冲器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 95mA @5V - 95mA @5V

供电电流 14 mA 14 mA 14 mA

电路数 1 1 1

通道数 1 - 1

耗散功率 1.02 W - 1020 mW

共模抑制比 74 dB - 74dB ~ 94dB

输入补偿漂移 20.0 µV/K - 20.0 µV/K

带宽 230 MHz 120 MHz 120 MHz

转换速率 990 V/μs 990 V/μs 990 V/μs

增益频宽积 120 MHz 120 MHz 120 MHz

输入补偿电压 3 mV 3 mV 3 mV

输入偏置电流 900 nA 900 nA 900 nA

可用通道 S, D - S, D

工作温度(Max) 85 ℃ - 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - 40 ℃

3dB带宽 230 MHz 230 MHz 230 MHz

增益带宽 120 MHz - -

耗散功率(Max) 1020 mW - 1020 mW

共模抑制比(Min) 74 dB - 74 dB

电源电压(Max) - - 15 V

电源电压(Min) - - 2.7 V

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - - 4.9 mm

宽度 - - 3.91 mm

高度 - - 1.58 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

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