FQU8P10和FQU8P10TU

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQU8P10 FQU8P10TU

描述 100V P沟道MOSFET 100V P-Channel MOSFETTrans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3Pin(3+Tab) IPAK Rail

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 IPAK TO-251-3

引脚数 - -

极性 P-CH N-Channel

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 6.6A 6.60 A

额定电压(DC) - -100 V

额定电流 - -6.70 A

通道数 - 1

漏源极电阻 - 410 mΩ

耗散功率 - 2.5 W

漏源击穿电压 - 100 V

栅源击穿电压 - ±30.0 V

上升时间 - 110 ns

输入电容(Ciss) - 470pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 2.5 W

下降时间 - 35 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 2.5W (Ta), 44W (Tc)

封装 IPAK TO-251-3

长度 - 6.8 mm

宽度 - 2.5 mm

高度 - 6.3 mm

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

ECCN代码 - EAR99

香港进出口证 - NLR

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台