对比图
型号 BSM10GD120DN2 BSM10GD120DN2E3224 MWI15-12A7
描述 INFINEON BSM10GD120DN2 晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 15 A, 3.2 V, 80 W, 1.2 kV, EconoPACK电源模块 Power moduleTrans IGBT Module N-CH 1200V 30A 140000mW 17Pin
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) IXYS Semiconductor
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Solder Screw Screw
封装 EconoPACK EconoPACK 2 E2
引脚数 17 - 17
耗散功率 80 W 80 W 140000 mW
工作温度(Max) 125 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ 40 ℃ -40 ℃
针脚数 17 - -
极性 N-Channel - -
击穿电压(集电极-发射极) - - 1200 V
输入电容(Cies) - - 1nF @25V
额定功率(Max) - - 140 W
耗散功率(Max) - - 140000 mW
长度 107.5 mm 107.5 mm -
宽度 45.5 mm 45 mm -
高度 17 mm 17 mm -
封装 EconoPACK EconoPACK 2 E2
产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs Active
包装方式 - Tray Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
工作温度 - - -40℃ ~ 125℃ (TJ)