7130SA35JG和71V30L35TFGI8

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 7130SA35JG 71V30L35TFGI8 CY7C131-15JXC

描述 SRAM Chip Async Dual 5V 8Kbit 1K x 8 35ns 52Pin PLCCSRAM Chip Async Dual 3.3V 8Kbit 1K x 8 35ns 64Pin STQFP T/R1K ×8双端口静态RAM 1K x 8 Dual-Port Static RAM

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 逻辑控制器存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 52 64 52

封装 PLCC TQFP-64 PLCC-52

电源电压 - 3V ~ 3.6V 4.5V ~ 5.5V

电源电压(DC) - - 5.00 V, 5.50 V (max)

供电电流 165 mA - 190 mA

时钟频率 - - 15.0 GHz

位数 - - 8

存取时间 35 ns - 15 ns

内存容量 - - 8000 B

存取时间(Max) 35 ns - 15 ns

工作温度(Max) - - 70 ℃

工作温度(Min) - - 0 ℃

长度 - 10.0 mm -

宽度 - 10.0 mm -

封装 PLCC TQFP-64 PLCC-52

厚度 - 1.40 mm -

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99

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