TLC2201CD和TLC2201IDR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLC2201CD TLC2201IDR TLC2201CDR

描述 精密 LinCMOS 运算放大器### 运算放大器,Texas Instruments高级LinCMOSE低噪声精密运算放大器 Advanced LinCMOSE LOW-NOISE PRECISION OPERATIONAL AMPLIFIERS高级LinCMOSE低噪声精密运算放大器 Advanced LinCMOSE LOW-NOISE PRECISION OPERATIONAL AMPLIFIERS

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器放大器、缓冲器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 ≤50 mA ≤50 mA ≤50 mA

供电电流 1.1 mA 1.1 mA 1.1 mA

电路数 1 1 1

通道数 1 1 1

耗散功率 0.725 W 725 mW 0.725 W

共模抑制比 90 dB 90 dB 90 dB

输入补偿漂移 500 nV/K 500 nV/K 500 nV/K

带宽 1.9 MHz 1.90 MHz 1.9 MHz

转换速率 2.50 V/μs 2.50 V/μs 2.50 V/μs

增益频宽积 1.8 MHz 1.8 MHz 1.9 MHz

输入补偿电压 100 µV 0.5 mV 100 µV

输入偏置电流 1 pA 1 pA 1 pA

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ 0 ℃

增益带宽 1.9 MHz 1.9 MHz 1.9 MHz

耗散功率(Max) 725 mW 725 mW 725 mW

共模抑制比(Min) 90 dB 90 dB 90 dB

电源电压(Max) - 16 V -

电源电压(Min) - 4.6 V -

长度 4.9 mm 4.9 mm -

宽度 3.9 mm 3.91 mm -

高度 1.58 mm 1.58 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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