对比图
型号 IRF6714MTR1PBF IRF6714MTRPBF
描述 Direct-FET N-CH 25V 29AN沟道 25 V 2.1 mOhm 表面贴装 DirectFET 功率 MosFet
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 7 7
封装 DirectFET-MX Direct-FET
额定功率 89 W 89 W
极性 N-CH N-Channel
耗散功率 89 W 2.8 W
输入电容 - 3890 pF
漏源极电压(Vds) 25 V 25 V
连续漏极电流(Ids) 29A 29A
上升时间 26 ns 26 ns
输入电容(Ciss) 3890pF @13V(Vds) 3890pF @13V(Vds)
下降时间 9.6 ns 9.6 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃
耗散功率(Max) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
通道数 1 -
封装 DirectFET-MX Direct-FET
长度 6.35 mm -
宽度 5.05 mm -
高度 0.7 mm -
材质 Silicon Silicon
工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99