对比图
描述 200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFETN沟道30 V ， 0.0045欧姆， 80 A， DPAK的STripFET V功率MOSFET N-channel 30 V, 0.0045 Ohm , 80 A, DPAK STripFET V Power MOSFET
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount
引脚数 - 3
封装 TO-220 TO-252-3
针脚数 - 3
漏源极电阻 - 0.0045 Ω
耗散功率 - 70 W
阈值电压 - 1.8 V
输入电容 - 1850 pF
漏源极电压(Vds) 200 V 30 V
上升时间 - 14 ns
输入电容(Ciss) - 1850pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 70 W
下降时间 - 10.8 ns
工作温度(Max) - 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 70W (Tc)
极性 N-CH -
连续漏极电流(Ids) 8.2A -
长度 - 6.6 mm
宽度 - 6.2 mm
高度 - 2.4 mm
封装 TO-220 TO-252-3
工作温度 - 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free
ECCN代码 - EAR99