IXFV30N50PS和IXTH30N50P

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFV30N50PS IXTH30N50P IXFV30N50P

描述 Trans MOSFET N-CH 500V 30A 3Pin(2+Tab) PLUS220 SMDTrans MOSFET N-CH 500V 30A 3Pin(3+Tab) TO-247ADTrans MOSFET N-CH 500V 30A 3Pin(3+Tab) PLUS 220

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole

封装 PLUS-220-SMD-3 TO-247-3 TO-220-3

引脚数 - 3 -

额定电压(DC) 500 V 500 V 500 V

额定电流 30.0 A 30.0 A 30.0 A

通道数 1 - -

漏源极电阻 200 mΩ - 200 mΩ

极性 N-Channel - N-Channel

耗散功率 460 W 460 W 460W (Tc)

输入电容 4.15 nF 4.15 nF 4.15 nF

栅电荷 70.0 nC 70.0 nC 70.0 nC

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

漏源击穿电压 500 V - 500 V

连续漏极电流(Ids) 30.0 A 30.0 A 30.0 A

上升时间 24 ns 27 ns -

输入电容(Ciss) 4150pF @25V(Vds) 4150pF @25V(Vds) 4150pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 460 W 460 W -

下降时间 24 ns 21 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 460W (Tc) 460W (Tc) 460W (Tc)

长度 11 mm 16.26 mm -

宽度 15 mm 5.3 mm -

高度 4.7 mm 21.46 mm -

封装 PLUS-220-SMD-3 TO-247-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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