对比图
型号 STP3NB100 STP8NK100Z SPP04N80C3
描述 N - CHANNEL 1000V - 5.3欧姆 - 3 A - TO- 220 / TO- 220FP的PowerMESH MOSFET N - CHANNEL 1000V - 5.3 ohm - 3 A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFETN 通道 MDmesh™ SuperMESH™，700V 至 1200V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsInfineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
引脚数 - 3 3
额定电压(DC) 1.00 kV 1.00 kV 800 V
额定电流 3.00 A 6.50 A 4.00 A
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 100W (Tc) 160 W 63 W
漏源极电压(Vds) 1000 V 1000 V 800 V
连续漏极电流(Ids) 3.00 A 6.50 A 4.00 A
上升时间 12.0 ns 19 ns 15 ns
输入电容(Ciss) 700pF @25V(Vds) 2180pF @25V(Vds) 570pF @100V(Vds)
耗散功率(Max) 100W (Tc) 160W (Tc) 63W (Tc)
额定功率 - - 63 W
通道数 - - 1
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 1.85 Ω 1.1 Ω
阈值电压 - 3.75 V 3 V
漏源击穿电压 - 1.00 kV 800 V
额定功率(Max) - 160 W 63 W
下降时间 - 30 ns 12 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
输入电容 - 2.18 nF -
栅电荷 - 73.0 nC -
栅源击穿电压 - ±30.0 V -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
长度 - 10.4 mm 10 mm
宽度 - 4.6 mm 4.4 mm
高度 - 9.15 mm 15.65 mm
工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17