1N4120和JAN1N4120C

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N4120 JAN1N4120C JANTXV1N4120

描述 低反向漏电流和低噪音等特点 LOW REVERSE LEAKAGE AND LOW NOISE CHARACTERISTICS硅400毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES硅400毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DO-35 DO-35 DO-35

引脚数 2 - -

耗散功率 - 500 mW 500 mW

稳压值 30 V 30 V 30 V

测试电流 0.25 mA - -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

封装 DO-35 DO-35 DO-35

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Bag - -

RoHS标准 Non-Compliant - -

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