对比图
型号 IXFL70N60Q2 IXFR64N60P
描述 ISOPLUS N-CH 600V 37AN 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
数据手册 --
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 - 3
封装 TO-264-3 TO-247-3
额定电压(DC) - 600 V
额定电流 - 64.0 A
漏源极电阻 92 mΩ 105 mΩ
极性 N-CH N-Channel
耗散功率 360 W 320 W
输入电容 - 1.15 nF
栅电荷 - 200 nC
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V
漏源击穿电压 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 37A 36.0 A
上升时间 25 ns 23 ns
输入电容(Ciss) 12000pF @25V(Vds) 12000pF @25V(Vds)
下降时间 12 ns 24 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 360W (Tc) 320W (Tc)
通道数 1 -
长度 20.29 mm 16.13 mm
宽度 5.21 mm 5.21 mm
高度 26.42 mm 21.34 mm
封装 TO-264-3 TO-247-3
材质 - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free