对比图
型号 CY7C199CN-12ZXC IS61C256AL-12JLI-TR IS61C256AL-12TLI-TR
描述 256K （ 32K ×8 ）静态RAM 256K (32K x 8) Static RAMRAM，ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM，其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用，如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源：1.8V/3.3V/5V 提供的封装：BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择：x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM（静态随机存取存储器）静态随机存取存储器 256K,High-Speed,Async,32K x 8,12ns,5v,28 Pin TSOP I (8x13.4mm), RoHS
数据手册 ---
制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)
分类 存储芯片RAM芯片存储芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 28 28 28
封装 TSOP-28 SOJ-28 TSOP-28
电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max)
位数 8 8 8
存取时间 12.0 ns 12 ns 12 ns
内存容量 256000 B 256000 B 256000 B
存取时间(Max) 12 ns 12 ns 12 ns
工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ -40 ℃
电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V
时钟频率 12.0 GHz - -
供电电流 - 40 mA -
封装 TSOP-28 SOJ-28 TSOP-28
高度 1.02 mm 2.67 mm -
长度 - 18.54 mm -
宽度 - 7.75 mm -
工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tray, Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free 无铅
ECCN代码 - EAR99 EAR99