CM100TU-24H和MWI100-12A8

对比图

型号 CM100TU-24H MWI100-12A8 BSM100GD120DN2

描述 POWEREX CM100TU-24H IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 100A, 1.2kV, 650W, 1.2kV, ModuleTrans IGBT Module N-CH 1200V 160A 640000mW 19PinIGBT Power Module (Solderable Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes)

数据手册 ---

制造商 Powerex IXYS Semiconductor Siemens Semiconductor (西门子)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

安装方式 Chassis Chassis -

引脚数 17 19 -

封装 Module E3 -

极性 N-Channel - -

耗散功率 650 W 640000 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 1200 V 1200 V -

输入电容(Cies) 15nF @10V 6.5nF @25V -

额定功率(Max) 650 W 640 W -

工作温度(Max) 150 ℃ 125 ℃ -

工作温度(Min) - -40 ℃ -

耗散功率(Max) - 640000 mW -

封装 Module E3 -

高度 - 17 mm -

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

工作温度 - -40℃ ~ 125℃ (TJ) -