对比图
型号 MRF6V4300NBR5 MRF6V4300NR1 MRF6V2300NBR1
描述 Trans RF MOSFET N-CH 110V 5Pin TO-272W T/RTrans RF MOSFET N-CH 110V 5Pin TO-270W T/RNXP MRF6V2300NBR1 RF FET Transistor, 110V, 2.5mA, 300W, 10MHz, 600MHz, TO-272
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 MOS管晶体管晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Flange
引脚数 5 5 4
封装 TO-270-4 TO-270 TO-272
频率 450 MHz 450 MHz 220 MHz
额定电流 2.5 mA - 2.5 mA
无卤素状态 Halogen Free Halogen Free Halogen Free
耗散功率 - - 300 W
漏源极电压(Vds) 110 V - 110 V
漏源击穿电压 - - 110V (min)
连续漏极电流(Ids) - - 2.50 mA
输出功率 300 W 300 W 300 W
增益 22 dB 22 dB 25.5 dB
测试电流 900 mA 900 mA 900 mA
输入电容(Ciss) 304pF @50V(Vds) 304pF @50V(Vds) 268pF @50V(Vds)
工作温度(Max) 225 ℃ 225 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃
额定电压 110 V 110 V 110 V
电源电压 - - 50 V
极性 N-Channel - -
封装 TO-270-4 TO-270 TO-272
高度 2.64 mm - -
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
工作温度 -65℃ ~ 225℃ - -
ECCN代码 - EAR99 -