BAT54ALT1G和BAT754A

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BAT54ALT1G BAT754A BAT54ALT3G

描述 ON SEMICONDUCTOR  BAT54ALT1G  小信号肖特基二极管, 双共阳极, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C200mA 至 500mA,NXP Semiconductors高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流 ### 二极管和整流器,NXP SemiconductorsNXP 以不同封装和配置提供广泛的开关二极管。肖特基势垒二极管 Schottky Barrier Diodes

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 肖特基二极管肖特基二极管二极管阵列

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3

额定电压(DC) 30.0 V - 30.0 V

额定电流 10.0 A - 200 mA

电容 10.0 pF - -

无卤素状态 Halogen Free - -

针脚数 3 3 -

正向电压 0.8 V 800 mV 800mV @100mA

耗散功率 225 mW - -

反向恢复时间 5 ns - 5 ns

正向电流 200 mA 200 mA 200 mA

最大正向浪涌电流(Ifsm) 600 mA 600 mA 600 mA

正向电压(Max) 800 mV 260 mV 800mV @100mA

正向电流(Max) 200 mA 200 mA -

工作温度(Max) 150 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ 55 ℃

工作结温(Max) 125 ℃ - -

耗散功率(Max) 225 mW - -

长度 3.04 mm 3 mm 2.9 mm

宽度 1.4 mm 1.4 mm 1.3 mm

高度 0.94 mm 1 mm 0.94 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - 55℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - -

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