FDS2570和PSMN085-150K

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDS2570 PSMN085-150K PSMN085-150K,518

描述 150V N沟道PowerTrench MOSFET的 150V N-Channel PowerTrench MOSFETN沟道的TrenchMOS SiliconMAX标准水平FET N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FETMOSFET N-CH 150V 3.5A SOT96-1

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦) Nexperia (安世)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 - 8

封装 SO-8 SOIC-8 SOIC-8

耗散功率 2.5 W - 3.5W (Tc)

漏源极电压(Vds) 150 V 150 V 150 V

上升时间 7 ns - 17 ns

输入电容(Ciss) - 1310pF @25V(Vds) 1310pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 3.5 W 3.5 W

下降时间 21 ns - 30 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 3.5W (Tc)

漏源极电阻 80.0 Ω - -

极性 N-Channel N-CH -

漏源击穿电压 150 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 3.00 A 3.5A -

封装 SO-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 4.9 mm - -

宽度 3.9 mm - -

高度 1.75 mm - -

材质 - - Silicon

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

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