对比图
型号 IXFX24N90Q IXFX26N90 IXFN26N90
描述 PLUS N-CH 900V 24AN沟道 900V 26AIXYS SEMICONDUCTOR IXFN26N90 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 26 A, 900 V, 300 mohm, 10 V, 5 V
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Screw
引脚数 - 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 SOT-227-4
通道数 - 1 -
漏源极电阻 - 300 mΩ 300 mΩ
耗散功率 500W (Tc) 560 W 600 W
漏源极电压(Vds) 900 V 900 V 900 V
漏源击穿电压 - 900 V -
上升时间 - 35 ns 35 ns
输入电容(Ciss) 5900pF @25V(Vds) 10800pF @25V(Vds) 10800pF @25V(Vds)
下降时间 - 24 ns 24 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 500W (Tc) 560W (Tc) 600W (Tc)
额定电压(DC) - - 900 V
额定电流 - - 26.0 A
针脚数 - - 3
极性 N-CH - N-Channel
阈值电压 - - 5 V
连续漏极电流(Ids) 24A - 26.0 A
隔离电压 - - 2.50 kV
额定功率(Max) - - 600 W
长度 - 16.13 mm -
宽度 - 5.21 mm -
高度 - 21.34 mm -
封装 TO-247-3 TO-247-3 SOT-227-4
材质 - Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
重量 - - 44.0 g
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15