IDH05S120和IDH10S60C

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IDH05S120 IDH10S60C SDA05S120

描述 的thinQ ! TM SiC肖特基二极管 thinQ!TM SiC Schottky DiodeINFINEON  IDH10S60C  二极管, 碳化硅肖特基, SIC, thinQ 2G 600V系列, 单, 600 V, 10 A, 24 nC, TO-220DIODE, SIC, 1200V, 5A, TO220 ; ROHS COMPLIANT: YESype: SiC Schottky; Diode Configuration: Single; Repetitive Reverse ...

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 2 2 2

封装 TO-220-2 TO-220-2 TO-220

正向电压 1.8V @5A 1.7 V -

热阻 2℃/W (RθJC) - -

反向恢复时间 0 ns 0 ns -

正向电流 5 A 10 A 5 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 29 A 84 A -

正向电流(Max) 5 A 10000 mA -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

工作结温(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

耗散功率(Max) 75000 mW 100000 mW -

额定功率 - 100 W -

负载电流 - 10 A -

正向电压(Max) - 1.7V @10A -

封装 TO-220-2 TO-220-2 TO-220

产品生命周期 Obsolete Obsolete -

包装方式 Each Tube Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ -

ECCN代码 - EAR99 -

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