对比图
型号 PD57060-E PD57060STR-E PD57060TR-E
描述 MOSFET 晶体管，STMicroelectronics射频晶体管为 LDMOS，适用于范围为 1 MHz 至 2 GHz 应用中的 L 频段卫星上行链路和 DMOS 功率晶体管。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsRF功率晶体管， LDMOST塑料家族的N沟道增强模式，横向MOSFET的 RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETsRF功率晶体管， LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF POWER Transistors, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 晶体管晶体管晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 PowerSO-10RF PowerSO-10RF PowerSO-10RF
频率 945 MHz 945 MHz 945 MHz
耗散功率 79 W 79000 mW 79000 mW
输出功率 60 W 60 W 60 W
增益 14.3 dB 14.3 dB 14.3 dB
测试电流 100 mA 100 mA 100 mA
输入电容(Ciss) 83pF @28V(Vds) 83pF @28V(Vds) 83pF @28V(Vds)
工作温度(Max) 165 ℃ 165 ℃ 165 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 79000 mW 79000 mW 79000 mW
额定电压 65 V 65 V 65 V
额定电压(DC) 65.0 V - -
额定电流 7 A - -
输入电容 83 pF - -
漏源极电压(Vds) 65 V - -
连续漏极电流(Ids) 7.00 A - -
封装 PowerSO-10RF PowerSO-10RF PowerSO-10RF
长度 9.5 mm - -
宽度 7.6 mm - -
高度 3.6 mm 3.5 mm -
工作温度 -65℃ ~ 165℃ -65℃ ~ 165℃ -65℃ ~ 165℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 - EAR99