71V3576S150PFI8和IDT71V3576S150PFI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 71V3576S150PFI8 IDT71V3576S150PFI IDT71V3576YS150PFI

描述 Cache SRAM, 128KX36, 3.8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100128K ×36 , 256K ×18的3.3V同步SRAM 3.3VI / O ,流水线突发输出计数器,单周期取消 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect128K ×36 , 256K ×18的3.3V同步SRAM 3.3VI / O ,流水线突发输出计数器,单周期取消 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 100 - -

封装 LQFP LQFP-100 LQFP

长度 20 mm - -

宽度 14 mm - -

封装 LQFP LQFP-100 LQFP

产品生命周期 Obsolete Unknown Obsolete

包装方式 - Tray -

电源电压 - 3.135V ~ 3.465V -

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ (TA) -

RoHS标准 - Non-Compliant -

含铅标准 - Contains Lead -

ECCN代码 - 3A991 -

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