对比图
型号 RJK0305DPB-00#J0 PSMN9R0-30YL,115 PH6325L,115
描述 Trans MOSFET N-CH 30V 30A 5Pin(4+Tab) LFPAK T/RTrans MOSFET N-CH 30V 61A 5Pin(4+Tab) LFPAK T/RLFPAK N-CH 25V 78.7A
数据手册 ---
制造商 Renesas Electronics (瑞萨电子) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 SOT-669 Power-SO8 SOT-669
引脚数 - 5 4
额定电压(DC) 30.0 V - -
额定电流 30.0 A - -
耗散功率 45 W 46 W 62.5 W
输入电容 1.25 nF - -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 25 V
连续漏极电流(Ids) 30.0 A 61.0 A 78.7 A
输入电容(Ciss) 1250pF @10V(Vds) 1006pF @12V(Vds) 1871pF @12V(Vds)
额定功率(Max) 45 W 46 W 62.5 W
极性 - N-Channel N-Channel
上升时间 - 28 ns 25 ns
下降时间 - 9 ns 12 ns
耗散功率(Max) - 46W (Tc) 62.5W (Tc)
工作温度(Max) - 175 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
封装 SOT-669 Power-SO8 SOT-669
高度 - 1.1 mm -
产品生命周期 Active Obsolete Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)