IXTT82N25P和IXTX90N25L2

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTT82N25P IXTX90N25L2 IXTK90N25L2

描述 250V 82A PolarHT N沟道 功率 Mosfet TO-268IXYS SEMICONDUCTOR  IXTX90N25L2  晶体管, MOSFET, LINEAR L2™, N沟道, 90 A, 250 V, 33 mohm, 10 V, 2 VIXTK 系列 单 N 沟道 250 V 33 mOhm 960 W 功率 MOSFET - TO-264

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-268-3 TO-247-3 TO-264-3

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.033 Ω 0.033 Ω

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 500W (Tc) 960 W 960 W

阈值电压 - 2 V 2 V

漏源极电压(Vds) 250 V 250 V 250 V

连续漏极电流(Ids) 82A 90A -

上升时间 20 ns 175 ns 175 ns

输入电容(Ciss) 4800pF @25V(Vds) 23000pF @25V(Vds) 23000pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 960 W 960 W

下降时间 22 ns 160 ns 160 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 500W (Tc) 960W (Tc) 960W (Tc)

封装 TO-268-3 TO-247-3 TO-264-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/06/15

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