对比图
型号 FQA19N20C NTD6415ANLT4G FDD3690
描述 200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFETN 通道功率 MOSFET，100V 至 1700V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor100V N沟道PowerTrench MOSFET的 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3 3
封装 TO-3-3 TO-252-3 TO-252-3
通道数 - 1 1
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 170 mΩ 0.044 Ω 64 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 180W (Tc) 83 W 60 W
阈值电压 - 2 V -
输入电容 - 1024 pF 1.51 nF
漏源极电压(Vds) 200 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 21.8 A 23A 22.0 A
上升时间 - 91 ns 6.5 ns
输入电容(Ciss) 1080pF @25V(Vds) 1024pF @25V(Vds) 1514pF @50V(Vds)
额定功率(Max) - 83 W 1.6 W
下降时间 - 71 ns 10 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 180W (Tc) 83W (Tc) 3.8W (Ta), 60W (Tc)
额定电压(DC) 200 V - 100 V
额定电流 21.8 A - 22.0 A
漏源击穿电压 200 V - 100 V
栅源击穿电压 ±30.0 V - ±20.0 V
栅电荷 - - 28.0 nC
长度 - 6.73 mm 6.73 mm
宽度 - 6.22 mm 6.22 mm
高度 - 2.38 mm 2.39 mm
封装 TO-3-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free
香港进出口证 - NLR -
ECCN代码 EAR99 - EAR99