IR2183SPBF和LM2726M/NOPB

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IR2183SPBF LM2726M/NOPB IR2183STRPBF

描述 INFINEON  IR2183SPBF  双路驱动器, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 2.3A输出, 220ns延迟, SOIC-8MOSFET & IGBT Drivers, 3A to 5A, Texas InstrumentsTexas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas InstrumentsINFINEON  IR2183STRPBF  芯片, 场效应管, MOSFET/晶体管, IGBT 驱动器, 半桥接器, SOIC-28 新

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) TI (德州仪器) Infineon (英飞凌)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) 10.0V (min) 7.00V (max) 20.0V (max)

额定功率 625 mW - -

上升/下降时间 40ns, 20ns 17ns, 12ns 40ns, 20ns

输出接口数 2 2 2

输出电压 10.20 V - -

输出电流 1.4.2.3 A - 1.9 A

通道数 2 - -

针脚数 8 - 8

耗散功率 625 mW 0.72 W 625 mW

静态电流 1 mA - 1.6 mA

上升时间 40 ns 17 ns 60 ns

下降时间 20 ns 14 ns 35 ns

下降时间(Max) 35 ns 14 ns 35 ns

上升时间(Max) 60 ns 17 ns 60 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ 0 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 625 mW 720 mW 625 mW

电源电压 10V ~ 20V 4V ~ 7V 10V ~ 20V

电源电压(Max) 20 V - 20 V

电源电压(Min) 10 V - 10 V

产品系列 - - IR2183

长度 5 mm 5 mm 5 mm

宽度 4 mm 4 mm 4 mm

高度 1.5 mm 1.5 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) 0℃ ~ 125℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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