CY7C1512KV18-250BZXI和CY7C1512KV18-250BZXIT

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1512KV18-250BZXI CY7C1512KV18-250BZXIT CY7C1512AV18-250BZXI

描述 72 - Mbit的QDR - II SRAM的2字突发架构 72-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst ArchitectureStandard SRAM, 4MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15MM, 1.4MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165CY7C1512AV18 72 Mb (4 Mx18) 250 MHz 1.8 V QDR™-II 2字突发 SRAM -FBGA-165

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

引脚数 165 165 -

存取时间 0.45 ns - 0.45 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

时钟频率 250 MHz - -

位数 18 18 -

存取时间(Max) 0.45 ns 0.45 ns -

电源电压(Max) 1.9 V - -

电源电压(Min) 1.7 V - -

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

高度 0.89 mm - -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Tape & Reel (TR) Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

ECCN代码 3A991.b.2.a 3A991.b.2.a -

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