IRF7380和IRF7380PBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7380 IRF7380PBF FDS3812

描述 SOIC N-CH 80V 3.6AINFINEON  IRF7380PBF  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3.6 A, 80 V, 73 mohm, 10 V, 4 V80V N沟道双通道PowerTrench MOSFET的 80V N-Channel Dual PowerTrench MOSFET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SO-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) - - 80.0 V

额定电流 - - 3.40 A

漏源极电阻 - 0.073 Ω 74.0 mΩ

极性 Dual N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 - 2 W 2 W

输入电容 - - 634 pF

栅电荷 - - 13.0 nC

漏源极电压(Vds) 80 V 80 V 80 V

漏源击穿电压 80.0 V - 80.0 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 3.60 A 3.6A 3.40 A

上升时间 - 10 ns 3 ns

输入电容(Ciss) - 660pF @25V(Vds) 634pF @40V(Vds)

额定功率(Max) - 2 W 900 mW

下降时间 - 17 ns 4 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

额定功率 - 2 W -

针脚数 - 8 -

阈值电压 - 4 V -

耗散功率(Max) - 2 W -

产品系列 IRF7380 - -

长度 - 5 mm 4.9 mm

宽度 - 4 mm 3.9 mm

高度 - 1.5 mm 1.75 mm

封装 SO-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 - Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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