IRF7807D2TRPBF和STS11N3LLH5

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7807D2TRPBF STS11N3LLH5 IRF7807D1TRPBF

描述 Trans MOSFET N-CH 30V 8.3A 8Pin SOIC T/RSTMICROELECTRONICS  STS11N3LLH5  晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 30 V, 0.0117 ohm, 10 V, 1 VTrans MOSFET N-CH 30V 8.3A 8Pin SOIC T/R

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) 30.0 V - 30.0 V

额定电流 8.30 A - 8.30 A

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

产品系列 IRF7807D2 - IRF7807D1

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 8.30 A - 8.30 A

额定功率(Max) 2.5 W 2.7 W 2.5 W

针脚数 - 8 -

漏源极电阻 - 0.0117 Ω -

耗散功率 2.5 W 2.7 W -

阈值电压 - 1 V -

输入电容(Ciss) - 724pF @25V(Vds) -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

耗散功率(Max) - 2.7W (Tc) -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

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