IS43LR32400F-6BL和IS43LR32400G-6BL

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS43LR32400F-6BL IS43LR32400G-6BL

描述 动态随机存取存储器 128M (4Mx32) 166MHz Mobile DDR 1.8v128m, 1.8V, Mobile Ddr, 4mx32, 166MHz, 90 Ball Bga (8mmx13mm) Rohs

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 BGA-90 TFBGA-90

引脚数 - 90

存取时间 6 ns 5.5 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V 1.7V ~ 1.95V

位数 - 32

存取时间(Max) - 6 ns

封装 BGA-90 TFBGA-90

高度 - 0.8 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Active Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅

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