对比图
型号 2N3634 JAN2N3634 2N3634L
描述 PNP硅晶体管放大器 PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTORPNP硅晶体管放大器 PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTORPNP硅晶体管放大器 PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-39 TO-39 TO-39-3
引脚数 3 3 -
极性 - - PNP
击穿电压(集电极-发射极) - 140 V 140 V
集电极最大允许电流 - - 1A
最小电流放大倍数(hFE) - 50 @50mA, 10V 50 @50mA, 10V
额定功率(Max) - 1 W 1 W
工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ -
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -
耗散功率(Max) 1000 mW 1000 mW -
封装 TO-39 TO-39 TO-39-3
工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)
材质 Silicon Silicon -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Bulk Bag Bulk
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 -