VI30100S-M3/4W和VI30100SG-E3/4W

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 VI30100S-M3/4W VI30100SG-E3/4W NTSB30100S-1G

描述 Diode Schottky 100V 30A 3Pin(3+Tab) TO-262AA Tube高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.437 V在IF = 5 A High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.437 V at IF = 5 A肖特基二极管与整流器 LVFR 30A 100V IN I2PAK

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) ON Semiconductor (安森美)

分类 功率二极管TVS二极管肖特基二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3

引脚数 - - 4

输出电流 - ≤30.0 A -

正向电压 910mV @30A 1V @30A 950mV @30A

极性 - Standard -

正向电压(Max) - 1V @30A 950 mV

正向电流 - - 30 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) - - 250 A

正向电流(Max) - - 30 A

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -40 ℃

封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3

工作温度 - -40℃ ~ 150℃ -40℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

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