LM833DR和LM833DT

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LM833DR LM833DT ADA4075-2ARZ

描述 TEXAS INSTRUMENTS  LM833DR  运算放大器, 双路, 16 MHz, 2个放大器, 7 V/µs, ± 5V 至 ± 18V, SOIC, 8 引脚STMICROELECTRONICS  LM833DT  运算放大器, 双路, 15 MHz, 2个放大器, 7 V/µs, ± 2.5V 至 ± 15V, SOIC, 8 引脚ANALOG DEVICES  ADA4075-2ARZ  运算放大器, 双路, 6.5 MHz, 2个放大器, 12 V/µs, ± 4.5V 至 ± 18V, NSOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体) ADI (亚德诺)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

供电电流 2.05 mA 4 mA 1.8 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 8 8 8

耗散功率 500 mW 500 mW -

共模抑制比 80 dB 80 dB 116 dB

输入补偿漂移 2.00 µV/K - -

带宽 16 MHz 15 MHz 6.5 MHz

转换速率 7.00 V/μs 7.00 V/μs 12.0 V/μs

增益频宽积 16 MHz 15 MHz 6.5 MHz

输入补偿电压 150 µV 300 µV 200 µV

输入偏置电流 300 nA 300 nA 30 nA

工作温度(Max) 85 ℃ 105 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 16 MHz 15 MHz 6.5 MHz

耗散功率(Max) 500 mW 500 mW -

共模抑制比(Min) 80 dB 80 dB 110 dB

电源电压 10V ~ 36V - -

电源电压(Max) 18 V - 12.5 V

电源电压(Min) 5 V - 12.5 V

输入电容 - - 2.10 pF

输入阻抗 - - 500 MΩ

长度 5 mm 5 mm 5 mm

宽度 4 mm 4 mm 4 mm

高度 1.5 mm 1.65 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 105℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17

军工级 - - No

ECCN代码 - EAR99 -

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