TLE2061CD和TLE2061MD

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLE2061CD TLE2061MD TL061ID

描述 TEXAS INSTRUMENTS  TLE2061CD  运算放大器, 单路, 1.8 MHz, 1个放大器, 3.4 V/µs, ± 3.5V 至 ± 18V, SOIC, 8 引脚神剑JFET输入高输出驱动微功耗运算放大器 EXCALIBUR JFET-INPUT HIGH-OUTPUT-DRIVE uPOWER OPERATIONAL AMPLIFIERSTEXAS INSTRUMENTS  TL061ID  运算放大器, 单路, 1 MHz, 1个放大器, 3.5 V/µs, 7V 至 36V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) 16.0 V - 15.0 V

输出电流 ≤80 mA ≤80 mA -

供电电流 290 µA 290 µA 200 µA

电路数 1 1 1

通道数 1 1 1

针脚数 8 - 8

共模抑制比 65 dB 65 dB 80 dB

输入补偿漂移 6.00 µV/K 6.00 µV/K 10.0 µV/K

带宽 1.8 MHz 1.8 MHz 1 MHz

转换速率 3.40 V/μs 3.40 V/μs 3.50 V/μs

增益频宽积 1.8 MHz 1.8 MHz 1 MHz

输入补偿电压 600 µV 600 µV 3 mV

输入偏置电流 4 pA 4 pA 30 pA

工作温度(Max) 70 ℃ 125 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -55 ℃ -40 ℃

增益带宽 2 MHz 2 MHz 1 MHz

共模抑制比(Min) 65 dB 65 dB 80 dB

工作电压 - - 7V ~ 36V

耗散功率 - - 6 mW

电源电压 - - 7V ~ 36V

长度 4.9 mm - 4.9 mm

宽度 3.91 mm - 3.91 mm

高度 1.58 mm - 1.58 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 0℃ ~ 70℃ -55℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/06/15

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台