对比图
型号 AUIRLR2908 IRLR2908TRPBF IRLR2908TRLPBF
描述 N 通道功率 MOSFET，InfineonInfineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。INFINEON IRLR2908TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 80 V, 0.0225 ohm, 10 V, 2.5 VHEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定功率 - 120 W -
通道数 - 1 -
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 0.0225 Ω 0.0225 Ω
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 120 W 120 W 120 W
阈值电压 - 2.5 V 1 V
输入电容 - 1890 pF -
漏源极电压(Vds) 80 V 80 V 80 V
连续漏极电流(Ids) 39A 39A 39A
上升时间 95 ns 95 ns 95 ns
输入电容(Ciss) 1890pF @25V(Vds) 1890pF @25V(Vds) 1890pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 120 W 120 W
下降时间 55 ns 55 ns 55 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 120W (Tc) 120W (Tc) 120W (Tc)
长度 6.73 mm 6.73 mm 6.73 mm
宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.22 mm
高度 2.39 mm 2.39 mm 2.39 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 Silicon - Silicon
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -