IDT70V3319S133BC和IDT70V3319S133BCI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IDT70V3319S133BC IDT70V3319S133BCI 70V3319S133BCI

描述 HIGH -SPEED 3.3V 256 / 128K ×18同步双端口静态RAM 3.3V或2.5V接口 HIGH-SPEED 3.3V 256/128K x 18 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACEHIGH -SPEED 3.3V 256 / 128K ×18同步双端口静态RAM 3.3V或2.5V接口 HIGH-SPEED 3.3V 256/128K x 18 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACEIC SRAM 4.5Mbit 133MHz 256CABGA

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 RAM芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

引脚数 - - 256

封装 BGA-256 BGA-256 LBGA-256

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

电源电压 - - 3.15V ~ 3.45V

长度 - - 17.0 mm

宽度 - - 17.0 mm

封装 BGA-256 BGA-256 LBGA-256

厚度 - - 1.40 mm

工作温度 - - -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tray Tray Tube, Rail

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Contains Lead

ECCN代码 3A991 3A991 -

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