PSMN030-150P和PSMN030-150P,127

对比图

型号 PSMN030-150P PSMN030-150P,127 RF1S9630SM

描述 Trans MOSFET N-CH Si 150V 55.5A 3Pin(3+Tab) TO-220ABTO-220AB N-CH 150V 55.5A6.5A ， 200V ， 0.800欧姆，P沟道功率MOSFET 6.5A, 200V, 0.800 Ohm, P-Channel Power MOSFETs

数据手册 ---

制造商 Nexperia (安世) NXP (恩智浦) Intersil (英特矽尔)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 TO-220-3 TO-220-3 -

通道数 1 - -

漏源极电阻 30 mΩ - -

耗散功率 250 W 250 W -

漏源击穿电压 150 V - -

上升时间 71 ns - -

下降时间 76 ns - -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) 55 ℃ - -

极性 - N-Channel -

漏源极电压(Vds) - 150 V -

连续漏极电流(Ids) - 55.5 A -

输入电容(Ciss) - 3680pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 250 W -

耗散功率(Max) - 250W (Tc) -

长度 10.3 mm - -

宽度 4.7 mm - -

高度 9.4 mm - -

封装 TO-220-3 TO-220-3 -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Rail Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -