IXTH88N15和IXTT88N15

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTH88N15 IXTT88N15 IXTH75N15

描述 Trans MOSFET N-CH 150V 88A 3Pin(3+Tab) TO-247ADTrans MOSFET N-CH 150V 88A 3Pin(2+Tab) TO-268TO-247AD N-CH 150V 75A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

封装 TO-247-3 TO-268-3 TO-247-3

通道数 - 1 -

漏源极电阻 - 22 mΩ -

耗散功率 400W (Tc) 400 W 330W (Tc)

漏源极电压(Vds) 150 V 150 V 150 V

漏源击穿电压 - 150 V -

上升时间 - 33 ns -

输入电容(Ciss) 4000pF @25V(Vds) 4000pF @25V(Vds) 5400pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 400 W -

下降时间 - 18 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - 55 ℃ -

耗散功率(Max) 400W (Tc) 400W (Tc) 330W (Tc)

极性 - - N-CH

连续漏极电流(Ids) - - 75A

长度 - 16.05 mm -

宽度 - 14 mm -

高度 - 5.1 mm -

封装 TO-247-3 TO-268-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Not Recommended Active

包装方式 Tube Bulk Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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