BSM200GB120DLC和BSM300GB120DLC

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSM200GB120DLC BSM300GB120DLC CM400HA-24H

描述 Trans IGBT Module N-CH 1200V 420A 1550000mW 7Pin 62MM TrayIGBT 模块,Infineon **Infineon 封装类型包括:62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM IGBT 分立件和模块,Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。大功率开关使用绝缘型 HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Mitsubishi (三菱)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Screw Screw Chassis

引脚数 7 7 -

封装 62MM-1 62MM-1 -

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -

耗散功率(Max) 1550000 mW 2.5 kW -

耗散功率 - 2500 W -

封装 62MM-1 62MM-1 -

长度 - 106.4 mm -

宽度 - 61.4 mm -

高度 - 29 mm -

产品生命周期 Not Recommended for New Design Not Recommended for New Design Active

包装方式 Tray Tray -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

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