STTH810D和STTH810FP

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STTH810D STTH810FP MUR8100EG

描述 STMICROELECTRONICS  STTH810D  快速/超快功率二极管, 单, 1 kV, 8 A, 1.3 V, 47 ns, 60 ASTMICROELECTRONICS  STTH810FP  快速/超快二极管, 单, 1 kV, 8 A, 2 V, 85 ns, 60 AON SEMICONDUCTOR  MUR8100EG  快速/超快功率二极管, 单, 1 kV, 8 A, 1.8 V, 75 ns, 100 A

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 TVS二极管TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 2 2

封装 TO-220-2 TO-220-2 TO-220-2

额定电压(DC) 1.00 kV 1.00 kV 1.00 kV

额定电流 8.00 A 8.00 A 8.00 A

输出电流 ≤8.00 A ≤8.00 A ≤8.00 A

正向电压 2V @8A 2V @8A 1.8 V

极性 Standard Standard Standard

热阻 2.5 ℃/W 5.8 ℃/W 2℃/W (RθJC)

反向恢复时间 85 ns 85 ns 100 ns

正向电流 8 A 8 A 8 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 60 A 60 A 100 A

正向电压(Max) 1.3 V 2 V 1.8 V

正向电流(Max) 8 A 8000 mA 8 A

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -65 ℃ -65 ℃

工作结温(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作结温 175℃ (Max) 175℃ (Max) -

电容 7.00 pF - -

长度 10.4 mm 10.4 mm 10.29 mm

宽度 4.6 mm 4.6 mm 4.82 mm

高度 9.35 mm 9.3 mm 9.27 mm

封装 TO-220-2 TO-220-2 TO-220-2

工作温度 -65℃ ~ 175℃ - -65℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99

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