BC848BLT1G和BC849B

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC848BLT1G BC849B BC849BLT3G

描述 ON SEMICONDUCTOR  BC848BLT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 30 V, 100 MHz, 300 mW, 100 mA, 200 hFEBC849B NPN三极管 30V 100mA/0.1A 300MHz 420~800 200~600 mV SOT-23/SC-59 marking/标记 BD通用晶体管 General Purpose Transistors

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 3 - -

封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3

频率 100 MHz - -

额定电压(DC) 30.0 V - 30.0 V

额定电流 100 mA - 100 mA

针脚数 3 - -

极性 NPN - NPN

耗散功率 300 mW - -

击穿电压(集电极-发射极) 30 V - 30 V

集电极最大允许电流 0.1A - 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 200 - 200 @2mA, 5V

额定功率(Max) 300 mW - 300 mW

直流电流增益(hFE) 200 - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 300 mW - -

长度 2.9 mm - -

宽度 1.3 mm - -

高度 0.94 mm - -

封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3

材质 Silicon - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape

RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - -

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