2N5114-E3和J271

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N5114-E3 J271 JANTX2N5114

描述 JFET P-CH 30V TO-206AAP沟道开关 P-Channel SwitchJAN QPL LOW POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Fairchild (飞兆/仙童) Solitron Devices

分类 JFET晶体管JFET晶体管JFET晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-206 TO-226-3 TO-18

工作温度(Max) - 150 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -65 ℃

额定电流 -50.0 mA -50.0 mA -

击穿电压 45.0 V - -

漏源极电阻 75.0 Ω - -

极性 P-Channel P-Channel -

栅源击穿电压 30.0 V 30.0 V -

连续漏极电流(Ids) -90.0 mA 28.0 mA -

额定电压(DC) - -30.0 V -

耗散功率 - 350 mW -

漏源极电压(Vds) - 30.0 V -

击穿电压 - 30 V -

额定功率(Max) - 350 mW -

耗散功率(Max) - 350 mW -

封装 TO-206 TO-226-3 TO-18

高度 - 5.33 mm -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Tube Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

ECCN代码 - EAR99 EAR99

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台