CYDM064B16-55BVXIT和CYDM256B16-55BVXI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CYDM064B16-55BVXIT CYDM256B16-55BVXI 70P249L65BYGI8

描述 SRAM Chip Async Dual 1.8V 64Kbit 4K x 16 55ns 100Pin VFBGA T/RCYDM256B16 系列 256 Kb (16 K x 16) 1.8 V 55 ns 双端口 静态RAM FBGA-100静态随机存取存储器 Low Power Dual-Port RAM IC

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 RAM芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

封装 BGA-100 VFBGA-100 CABGA-100

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 100 100 -

存取时间 55 ns 55 ns 65 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 - 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

电源电压(DC) - 3.00 V -

供电电流 - 25 mA -

位数 16 16 -

存取时间(Max) 55 ns 55 ns -

电源电压(Max) 1.9 V - -

电源电压(Min) 1.7 V - -

封装 BGA-100 VFBGA-100 CABGA-100

高度 - 0.66 mm -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tray Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free 无铅

ECCN代码 - EAR99 -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台