IRF3704ZCS和IRF3704ZSPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF3704ZCS IRF3704ZSPBF IRF3704ZCSTRLPBF

描述 D2PAK N-CH 20V 67AN 通道功率 MOSFET 60A 至 79A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。D2PAK N-CH 20V 67A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 TO-263-3 TO-263-3 D2PAK

引脚数 - 3 -

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 57W (Tc) 57 W -

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 67A 67A 67A

输入电容(Ciss) 1220pF @10V(Vds) 1220pF @10V(Vds) -

耗散功率(Max) 57W (Tc) 57W (Tc) -

额定功率 - 57 W -

通道数 - 1 -

漏源极电阻 - 11.1 mΩ -

漏源击穿电压 - 20 V -

上升时间 - 38 ns -

额定功率(Max) - 57 W -

下降时间 - 4.2 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

封装 TO-263-3 TO-263-3 D2PAK

长度 - 10.67 mm -

宽度 - 9.65 mm -

高度 - 4.83 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 - Tube -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free -

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