TLV2422AQDRG4和TLV2422QDRG4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLV2422AQDRG4 TLV2422QDRG4 TLV2422AID

描述 Op Amp Dual GP R-R O/P ±5V/10V Automotive 8Pin SOIC T/ROp Amp Dual GP R-R O/P ±5V/10V Automotive 8Pin SOIC T/R高级LinCMOSE轨到轨输出,宽输入电压微功耗双运算放大器 Advanced LinCMOSE RAIL-TO-RAIL OUTPUT WIDE-INPUT-VOLTAGE MICROPOWER DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器放大器、缓冲器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

供电电流 100 µA 100 µA 100 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

耗散功率 - 725 mW 725 mW

共模抑制比 - 70 dB 70 dB

输入补偿漂移 2.00 µV/K 2.00 µV/K 1.80 µV/K

带宽 52.0 kHz 52.0 kHz 52.0 kHz

转换速率 20.0 mV/μs 20.0 mV/μs 20.0 mV/μs

增益频宽积 52 kHz 52 kHz 52 kHz

输入补偿电压 300 µV 300 µV 300 µV

输入偏置电流 1 pA 1 pA 1 pA

工作温度(Max) - 125 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) - 40 ℃ -40 ℃

增益带宽 - - 0.052 MHz

耗散功率(Max) - - 725 mW

共模抑制比(Min) - - 70 dB

电源电压(Max) - 10 V -

电源电压(Min) - 2.7 V -

长度 - 4.9 mm 4.9 mm

宽度 - 3.91 mm 3.91 mm

高度 - 1.58 mm 1.58 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台