MB30和PUMB30,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MB30 PUMB30,115 PUMB30

描述 PEMB30; PUMB30 - PNP/PNP double resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOhm, R2 = open TSSOP 6-PinTSSOP PNP 50V 100mATrans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 6Pin TSSOP

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Nexperia (安世)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

封装 SOT-363 TSSOP-6 -

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 6 -

封装 SOT-363 TSSOP-6 -

高度 - 1 mm -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

极性 - PNP -

耗散功率 - 0.3 W -

击穿电压(集电极-发射极) - 50 V -

集电极最大允许电流 - 100mA -

最小电流放大倍数(hFE) - 30 @20mA, 5V -

额定功率(Max) - 300 mW -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 300 mW -

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -

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