对比图
型号 MB30 PUMB30,115 PUMB30
描述 PEMB30; PUMB30 - PNP/PNP double resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOhm, R2 = open TSSOP 6-PinTSSOP PNP 50V 100mATrans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 6Pin TSSOP
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Nexperia (安世)
分类 双极性晶体管
封装 SOT-363 TSSOP-6 -
安装方式 - Surface Mount -
引脚数 - 6 -
封装 SOT-363 TSSOP-6 -
高度 - 1 mm -
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 - Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free -
极性 - PNP -
耗散功率 - 0.3 W -
击穿电压(集电极-发射极) - 50 V -
集电极最大允许电流 - 100mA -
最小电流放大倍数(hFE) - 30 @20mA, 5V -
额定功率(Max) - 300 mW -
工作温度(Max) - 150 ℃ -
工作温度(Min) - -65 ℃ -
耗散功率(Max) - 300 mW -
工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -